SI4447DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI4447DY-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.83 |
10+ | $0.735 |
100+ | $0.5632 |
500+ | $0.4452 |
1000+ | $0.3562 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 4.5A, 15V |
Verlustleistung (max) | 1.1W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 805 pF @ 20 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.3A (Ta) |
Grundproduktnummer | SI4447 |
SI4447DY-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI4447DY-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC
MOSFET N-CH 12V 50A 8SO
VISHAY SOP-8
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MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
VISHAY SOP
MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
MOSFET N-CH 12V 50A 8SO
VISHAY SOP8
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI4447DY-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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